تراشه‌های کامپیوتری مدرن می‌توانند ویژگی‌هایی در مقیاس نانومتری داشته باشند. تا به حال امکان تشکیل چنین ساختارهای کوچکی فقط روی سطح یک ویفر سیلیکونی وجود داشت، اما یک تکنیک جدید اکنون می‌تواند حک نانوساختارها در زیر سطح سیلیکون را انجام دهد. محققان می‌گویند این رویکرد کاربردهای امیدوارکننده‌ای هم در فوتونیک و هم در الکترونیک دارد و می‌تواند ساخت ساختارهای سه‌بعدی را در سراسر ویفر نه صرفا سطح سیلیکون امکان‌پذیر کند.
این تکنیک بر این واقعیت متکی است که سیلیکون نسبت به طول موج‌های خاصی از نور شفاف است. این بدان معناست که نوع مناسب لیزر می‌تواند از سطح ویفر عبور کند و با لایه‌ای زیر سطح سیلیکون تعامل داشته باشد. اما طراحی لیزری که بتواند از سطح بدون ایجاد آسیب عبور کند و ساخت نانومقیاس دقیق را انجام دهد، ساده نیست.
محققان دانشگاه بیلکنت در آنکارا با استفاده از مدولاسیون نور فضایی(مدولاسیون نور فضایی: با استفاده از این روش، پرتو لیزری به شکلی تنظیم می‌شود که بتواند به طور دقیق انرژی را در نقاط خاصی متمرکز کند.) برای ایجاد یک پرتو لیزر سوزنی که به آن‌ها کنترل بیشتری بر محل انباشته شدن پرتو انرژی می‌دهد، به این دستاورد رسیدند. این پرتو لیزری می‌تواند از سطح سیلیکون عبور کند و با لایه‌های زیر سطحی تعامل داشته باشد، بدون اینکه به سطح آسیب برساند. این پیشرفت می‌تواند کاربردهای گسترده‌ای در فوتونیک و الکترونیک داشته باشد و امکان ساخت ساختارهای سه‌بعدی در سراسر ویفر را فراهم کند.
تهیه تنظیم:
زهرا شکری زاده
